罗毅（教授）的个人简介
罗毅，男，出生于1960年2月，1983年毕业于清华大学无线电电子学系电子物理与激光专业。清华大学教授，工学博士。
人物经历
分别于1987年和1990年在日本东京大学工学部电子工学科获工学硕士与博士学位，1990年4月-1992年3月在日本光计测技术开发株式会社中央研究所任研究员。1992年4月回国，同年因学术成就突出被破格提升为清华大学电子工程系教授，1995年晋升为博士生导师。现担任集成光电子学国家重点联合实验室主任、清华大学实验区主任(该重点实验室在2002年由科技部组织的包括计算机、软件、信息材料与器件等所有36个信息类国家重点实验室的评估中获第一名)。曾任国际电机电子工程师学会主办的量子电子学杂志编委(Associate Editor of IEEE Journal of Quantum Electronics，1996-1998)，教育部长江特聘教授。
2002年，罗毅教授负责的2500万元的GaN蓝光发光管的研究与开发项目通过了鉴定；建设了包括德国AIXTRON公司MOCVD设备在内的GaN材料与器件研究基地，自行研制的蓝色发光二极管获得突破，15000余个器件的测试结果表明，器件的典型工作特性与国际上高亮度发光二极管的市场水平基本相当。
2003年，正式在深圳研究生院建立了以罗毅教授为实验室主任的半导体照明实验室，主要从事大功率照明用LED的封装技术研究，从而建成了从芯片外延到器件封装的一整套研究平台。科技部启动了半导体照明工程后，罗毅教授被选为专家组成员。
研究方向
罗毅教授主要从事半导体光电子器件方面的研究工作，其中包括器件物理与设计，化合物半导体材料的外延生长技术、全息光栅的制作技术、器件制作工艺技术、材料与器件特性的评价技术。
主要贡献
近几年来的研究重点是分布反馈半导体激光器及单片光子集成器件，是增益耦合DFB激光器――国际公认的优秀光源的开创者之一，他也是国内最早从事DFB激光器与电吸收调制器单片集成研究的科学家。
他入选了国家教委首批跨世纪优秀人才计划、获得霍英东教育基金会青年教师基金、自然科学基金优秀中青年人才专项基金、自然科学基金杰出青年基金A类项目以及C类项目的资助、作为负责人正在承担国家自然科学基金重大项目“半导体光子集成基础研究”子课题“含Bragg光栅反射器的光子集成器件的基础研究”、“863计划”项目“10Gbit/s DFB半导体激光器/电吸收调制器单片光子集成器件”。国家重点实验室的二次建设项目。作为首席科学家正在主持国家重大基础研究项目“支撑高速、大容量信息网络系统的光子集成基础研究”。
共发表各类论文300余篇，其中有国际著名杂志论文超过90篇，国际会议论文超过近115篇。获得40多项专利，包括18项日本专利，一项欧洲专利，一项美国专利，国内专利若干。
